眾所周知,美國(guó)打壓中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè),有著明顯的目標(biāo),針對(duì)邏輯芯片、DRAM內(nèi)存,NAND存儲(chǔ)芯片這三種產(chǎn)品,有著明確的目標(biāo):
采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結(jié)構(gòu)的邏輯芯片;半間距小于等于18nm的DRAM存儲(chǔ)芯片;128層及以上的NAND閃存芯片。而生怕封鎖不到位,美國(guó)在今年,還聯(lián)手日本、荷蘭一起對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行限制。
之前日本的半導(dǎo)體設(shè)備出口限制已經(jīng)發(fā)布出來(lái)了,一共是23種半導(dǎo)體設(shè)備被列入了限制出口清單,7月23日起開始實(shí)施。
(資料圖片)
而近日,荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備出口限制也正式發(fā)布,該措施將于2023年9月1日正式生效。
那么問(wèn)題來(lái)了,荷蘭的這個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備禁令,對(duì)我們的芯片產(chǎn)業(yè)影響有多大?
從荷蘭的新規(guī)則來(lái)看,管制的對(duì)象主要為先進(jìn)的芯片制造技術(shù),包括先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng),而受限制的企業(yè),主要是ASML和ASM International。
從具體的設(shè)備來(lái)看,用于EUV技術(shù)的所有設(shè)備、技術(shù)、材料,都是不能出口的,比如EUV光刻機(jī),EUV光罩保護(hù)膜、EUV光罩保護(hù)膜生產(chǎn)設(shè)備。
而在光刻機(jī)上,波長(zhǎng)小于193nm的光刻機(jī),是不允許出口的,也就是EUV光刻機(jī)是不行的。
而針對(duì)193nn的光刻機(jī),則加了限制條件,如果能夠生產(chǎn)45nm或更小分辨率,且小于或等于1.50nm最大專用卡盤覆蓋值(DCO值)的光刻機(jī),則不能出口。
浸潤(rùn)式光刻機(jī),采用的是193nm光線,其中分辨率小于45nm,同時(shí)DCO值小于等于1.5nm的全部不能出口。
但其中其NXT1980系列,其分辨率為38納米左右,但是其DCO值是小于等于1.6nm,所以不受限制,能夠出口,與之前ASML說(shuō)的一致,浸潤(rùn)式光刻機(jī)中,這一款能夠出口。
另外,還有用于金屬剝離的原子層沉積(ALD)設(shè)備、設(shè)計(jì)用于硅(Si)、碳摻雜硅、硅鍺(SiGe)或碳摻雜SiGe外延生長(zhǎng)的設(shè)備,以及一些先進(jìn)的設(shè)備、技術(shù)、軟件等,都被限制出口,如果需要購(gòu)買這些設(shè)備/技術(shù),需要許可證才行。
但總體來(lái)看,針對(duì)的還是14nm及以下的工藝,對(duì)于成熟工藝,并沒有太多的限制,與美國(guó)之前的目標(biāo)差不多,那就是以鎖死14nm工藝為基本目標(biāo)。
從美、日、荷三國(guó)的禁令來(lái)看,14nm及以下的設(shè)備,短時(shí)間之內(nèi),我們是無(wú)法從國(guó)外買到了,只能靠自己,如果自主產(chǎn)業(yè)鏈不能突破,那么我們就會(huì)一直被困在14nm以上。
而這估計(jì)也是中芯之前官方下線14nm工藝介紹的原因,因?yàn)榇_實(shí)短時(shí)間來(lái)看,14nm工藝可能是一道坎,跨不過(guò),所以暫時(shí)下線。
而14nm以上的設(shè)備,暫時(shí)還是不受限制的,我們可以從國(guó)外買到相關(guān)設(shè)備,所以在成熟工藝上,倒不需在太擔(dān)心。
可見,接下來(lái),國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入先進(jìn)工藝方面,已經(jīng)沒有任何捷徑可走,放棄一切幻想,唯有不斷突破,實(shí)現(xiàn)全面的自主可控,一步一個(gè)腳印前進(jìn)才行了。
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